Quartz Wafer Substrate
Quartz Wafer Substrates dia wafers vita amin'ny quartz -purity avo lenta (SiO₂), ampiasaina betsaka amin'ny semiconductor, optoelektronika, micro-rafitra elektronika (MEMS), fitaovana optika, ary sehatra hafa.
Description
Fananana ara-materialy
- Fahadiovana ambony:Amin'ny ankapobeny dia vita amin'ny quartz sintetika (ohatra, silica mitambatra), manana fahadiovana avo dia avo (Mihoatra na mitovy amin'ny 99.99%) ary loto kely indrindra mba tsy hisy fiantraikany amin'ny fahombiazan'ny fitaovana.
- Filaminana mafana:Ny tahan'ny fanitarana mafana (≈0,55 × 10⁻⁶/ degre) ambany ary ny fanoherana ny maripana ambony -(teboka manalefaka ~ 1600 degre), mety amin'ny fizotry ny maripana ambony-.
- Optical Performance:Fandehanana midadasika (UV mankany IR), miaraka amin'ny fifindran'ny UV miavaka, mety ho an'ny saron-tava, lens, sns.
- Tsy fahampian'ny simika:Mahatohitra asidra sy alkalis (afa-tsy asidra hydrofluoric), mety amin'ny fizotran'ny etching mando.
- Insulation elektrika:High resistivity (>10¹⁶ Ω·cm), mety tsara ho an'ny fitaovana fanasivanana na fitaovana avo-matetika.
Applications
Semiconductor Manufacturing
- Sobika saron-tava
- singa litografika EUV
- Mpitatitra fanodinana wafer
Photonics & Optoelectronics
- Sobika optique waveguide
- Fametrahana diode laser
- Singa computing quantum
Fampiharana manokana
- Toby resonator MEMS
- Teleskaopy habakabaka
- Rafitra laser angovo avo-
Manufacturing Process
- Raw Material Synthesis:Novokarina tamin'ny alalan'ny fametrahana etona (ohatra, SiCl₄ oxidation) na fanadiovana ny quartz voajanahary.
- Mitsonika sy miforona:-Mitsonika amin'ny maripana ambony arahin'ny fampangatsiahana amin'ny ingot na fisarihana mivantana amin'ny tsorakazo.
- Manapaka:Notetehina ho ovy manify mampiasa tsofa tariby diamondra na fanapahana laser.
- Fikosoham-bary sy fikosoham-bary:Ny famolahana mekanika simika (CMP) dia mahatratra ny haavo nanometra-mahamenatra.
- Fanadiovana sy fisavana:Esory ny poti-javatra sy ny loto metaly, arahin'ny tsininy sy ny fitsapana paramètre.
Properties
|
Toetra ara-batana |
TARI-DALANA |
|
fahadiovana |
＞99.99% |
|
hakitroky |
2.2g/cm3 |
|
mangarahara |
＞90% |
|
Mohs Hardness |
5.5--6.5 |
|
Deformation Point |
1280 degre |
|
Teboka fanalefahana |
1750 degre |
|
Toerana fanalefahana |
1250 degre |
|
Hafanana manokana (20 - 350 degre ) |
670J/kg. ANTONONY |
|
Conductivity mafana (20 degre) |
1.4W/m. ANTONONY |
|
Fitondrana hafanana (w/mk,1000 degre) |
1.0-1.2 |
|
Fanondroana refractive |
1.4585 |
|
Coefficient ny fanitarana Thermal |
5.510 -7sm/cm. ANTONONY |
|
Mafana - hafanana miasa |
1750--2050 degre |
|
Fe-potoana fohy - Temperature Service |
1450 degre |
|
Maharitra - Temperature Service |
1100 degre |
|
Toetra simika |
TARI-DALANA |
|
Mahazaka asidra |
Asidra mahery (afa-tsy HF), alkali mahery, vahaolana organika |
|
Hafanana ambony Mahatohitra harafesina |
tsara |
|
Votoatin'ny fahalotoana metaly |
<5 ppm |
|
Toetra elektrika |
TARI-DALANA |
|
Resistivity |
7107Ω.cm |
|
Hery insulation |
250~400Kv/cm |
|
Dielectric Constant |
3.7~3.9 |
|
Dielectric Absorption Coefficient |
＜410-4 |
|
Dielectric very Coefficient |
＜110-4 |
|
Toetra mekanika |
TARI-DALANA |
|
Hery fanerena |
1100MPa |
|
Hery miondrika |
67MPa |
|
Faharetana amin'ny sintona |
48MPa |
|
Ny tahan'ny Poisson |
0.14~0.17 |
|
Ny Modulus Young |
72000MPa |
|
Hetezana Modulus |
31000MPa |
FAQ
Q1: Inona ny haben'ny substrate wafer quartz ambony indrindra misy?
A: Standard famokarana hatramin'ny 300mm savaivony, miaraka amin'ny 450mm prototypes misy ho an'ny R&D.
Q2: Afaka manome mombamomba ny hateviny manokana ve ianao?
A: Eny - afaka mamokatra izahay:
- Wafers miendrika (ho an'ny fampiharana laser)
- Tetika manify tsara
- Mesa-sehatra voarafitra
Q3: Inona no protocole fanadiovana atolotrao?
A: Fomba fanadiovana RCA mahazatra:
1. Fanalana organika (H₂SO₄:H₂O₂)
2. Fanadiovana ionika (HCl:H₂O₂)
3. HF-maharitra ho an'ny velaran-tany hydrophilika
Hot Tags: quartz wafer substrate, China quartz wafer substrate mpanamboatra, mpamatsy, orinasa
Send Inquiry
Mety tianao ihany koa
