Ny fizotry ny fanamboarana ny sarimihetsika anti

Dingana teknolojia
Manome loharano sy loharano fitomboana: Manome fitaovana fitomboana ho an'ny sarimihetsika tariby anti, toy ny sio ao amin'ny embodiment, raha toa ka manome loharano entona mifanentana amin'ny fitaovana fitomboana, toa ny fampifangaroana gazy.
Ny fananganana layer ny anti Ny sosona substrate dia mety hampiditra sosona Sio sosona, sosona ary sosona ny sosona amin'ny filaharana amin'ny fitarihana sarimihetsika. Ny fandraisana ny sosona tariby roa sosona roa sosona (loka fisaintsainana anti-pisaintsaina voalohany) ho ohatra, dia avy amin'ny dingana fitomboan'ny epitaxial (toy ny plasma manatsara ny fomba fametahana simika pecvd). Ireto ny dingana manokana:
Fanodinana substrate: Aorian'ny fizotry ny fanadiovana ny semiconductor amin'ny soso-kevitra substrate, apetraho eo amin'ny fitaovana fampandroana ny CVD.
Fehezam-pitaovana Fitaovana: Mifehy ny hafanana elektronika ambony amin'ny fitaovana fampandroana ny CVD hatramin'ny 200-300 degre sy ny mari-pana elektrôectôma ambany ka hatramin'ny 250-350.
Ny fitomboan'ny sosona tariby fialana amin'ny antig voalohany: amboary ny tahiry fampandroana ny fampandroana ny CVD, ao ny taham-pandehan'ny tsiranoka voalohany, na ny fitambaran'ny rf voalohany, na ny fitomboan'ny tariby voalohany amin'ny 10-200NM 1.4-1.71.
Ny fitomboan'ny sosona fandalovana fialana amin'ny antig iray faharoa: Ampifamadiho ny fitaovana fampandroana ny famandrihana CVD, ao ny taham-pandehan-tsofina faharoa, na ny fitambaran'ny fametahana ny famafazana faharoa, ny fanalefahana ny sosona anti-pisaintsaina faharoa amin'ny anti-piraisana anti 10-200NM sy ny fanondroana fanondroana 1,4-1.71.

Tombontsoa ara-teknolojika
Amin'ny alàlan'ny fampiasana ny fitaovana fitomboana mitovy, ny sarimihetsika anti

Ny fizotry ny famotorana ny hybrid sio ₂ / tio ₂ anti

Dingana teknolojia
Fanomanana substrate: Safidio ny substrate mangarahara toy ny fitaratra, fitaratra voajanahary, sarimihetsika polyimide, sns, ary manaova fitsaboana fanesorana stain mba hahazoana antoka ny vovoka madio sy malefaka. Raha ilaina, ny sided sided na sideding sided na fehezan-teny indroa dia azo atao hanatsarana ny fahombiazan'ny fandefasana maivana.
Fanomanana ny film-panondro: Tetraethoxysilane (Teos) sy Tetrabutyl Titanate (TBT) dia ampiana ao amin'ny ethanol misy ny NH ₄ Oh amin'ny ora 9-12
Coating sy ny fanasitranana: Ny rafitry ny Gel voaomana dia voatsindrona amin'ny substrate mangarahara, ary ny coating spin, ny famafazana, ny famoretana ary ny tetika hafa dia azo ampiasaina. Aorian'ny coating, ny hybrid sio ₂ / tio ₂ dia napetraka ao anaty lafaoro ho an'ny fanasitranana sy ny fitsaboana maro, izay mamorona rafitra maromaro.
Coating boribory: avereno ny fizotran'ny coating sy ny fanasitranana mandra-pahazoana ny fiantraikany amin'ny fomba fisaintsainana. Ny fotoan-tsarimihetsika sy ny filaharana samihafa dia hisy fiantraikany amin'ny fanatanterahana ny sarimihetsika anti-tandindona anti ary ny fikarohana ary ny fanokafana.
Fitsaboana ny tany: hampitombo ny faharetana sy ny fahamarinan'ny sarimihetsika anti-doko anti, ny polymer hydrophilic sy hydrophobic sy hydrophobic sy hydrophobic

Ny fizotry ny fanamboarana ny sarimihetsika anti-piraisana antig
Dingana teknolojia
Ny horonantsary fisaintsainana anti-pisaintsainana dia mifototra amin'ny silicon ary mifangaro amin'ny sarimihetsika tariby anti eo amin'ny andaniny roa amin'ny substrate. Ny firafitry ny rafitry ny sarimihetsika anti-pisaintsaina dia tsy miankina amin'ny (hl), izay hlesents ny sosona si, l Ny sosona SI dia mifanakaiky amin'ny substrate, ary ny Sio Layer dia hita eny ambonin'ny tany. Ny fizotran'ny coating dia ampiasaina amin'ny fametrahana ny takelaka sarimihetsika amin'ny substrate, miaraka amin'ny sosona sarimihetsika Sio ho sosona ivelany, izay manana henjana avo be ary tsy mitaky takelaka fiarovana fanampiny. Ankoatr'izay, Sio dia manana index insteks ambany kokoa, izay mety hampihena ny taratry ny habakabaka ary hampitombo hatrany ny fampitana infraRed.

Ny fizotry ny fanamboarana ny mari-pana amin'ny mari-pana ny fiatrehana ny sarimihetsika an-tariby Laser Anti
Dingana teknolojia
Fitaovana miempo: Ny fitsaboana miempo mialoha dia tanterahina amin'ny fluoride YtTrium, kalsioma Yttrium Fluoride, ary ny fitaovana sarimihetsika Selenide amin'ny fanesorana ny loto ao anaty sarimihetsika.
Layer film fakana sary: Ny Layer Sctrium voalohany, YtTrium Calcium Calcia Fluoride, ary ny sosona FLTENIDE faharoa dia apetraka ao amin'ny zinc selence substrate miaraka amin'ny 3 ± 0,1mm amin'ny alàlan'ny hazondamosina. Ny faritry ny fandrakofana isaky ny sosona dia mihoatra ny 95% amin'ny faritry ny velaran'ny sosona substrate. Ny fepetra ara-batana ho an'ny sosona tsirairay dia toy izao manaraka izao: ny hatevin'ny ara-batana amin'ny sosona Yttrium voalohany dia 95-100 NANOMETERS; Ny hatevin'ny ara-batana ny ytterbium kalsioma fluoride fluoride dia 860-870 NihyTers; Ny hatevin'ny ara-batana ny zinc selenide sosona dia 240-250 nanometer; Ny hatevin'ny ara-batana ny sosona faharoa yttrium faharoa dia 95-100 NANOMETERS.
 

Tombontsoa ara-teknolojika
Ny membrane taratry ny anti-piderana anti dia manana endrika tsotra sy famolavolana mahafinaritra. Ny fitambaran'ny sosona efatra dia manana ny toetran'ny fanoherana ny mari-pana avo, ny fifindrana avo, ny sosona membrane, ny fihenjanana mifameno eo anelanelan'ny sosona membrane, ary tsy rava ny sosona membrane. Izy io dia afaka mahafeno ny fitohizan'ny fitohizan'ny singa amin'ny alàlan'ny mari-pana amin'ny mari-pana, ary ny fitaovana ampiasaina amin'ny sosona tsirairay dia tsy radioaktifa, izay tsy hiteraka fahasimbana amin'ireo mpandraharaha sy ny tontolo iainana.